Семенов О. В. Фізико-технологічні основи синтезу та модифікації плівок нанокристалічного карбіду кремнію

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0514U000024

Здобувач

Спеціальність

  • 05.02.01 - Матеріалознавство

11-12-2013

Спеціалізована вчена рада

Д 64.169.01

Інститут монокристалів НАН України

Анотація

Дисертація присвячена розробці фізико-технологічних основ отримання та модифікації плівок нанокристалічного SiC в умовах прямого осадження іонів вуглецю і кремнію з підвищеною енергією. Запропоновано метод низькотемпературного формування шарів нанокристалічного SiC на підкладці на основі прямого осадження іонів вуглецю і кремнію підвищеної енергії, для реалізації якого було розроблено вакуумно-дугове джерело іонів вуглецю і кремнію з використанням катода з полікристалічного SiC. Вперше експериментально показано можливість низькотемпературного формування та визначено температури формування плівок нанокристалічного SiC некубічних політипів 15R-SiC, 21R-SiC, 24R-SiC, 27R-SiC, 51R-SiC, 6H-SiC. Запропоновано модель опису теплового балансу на підкладці в процесі формування плівок SiC в умовах прямого осадження іонів вуглецю і кремнію з енергією ~ 100 еВ. У плівках нанокристалічного SiC вперше виявлено аномально великий нелінійноптичний відгук третього порядку. Максимальну величину нелінійної сприйнятливості х(3)~10-5 од. СГСЕ мають плівки нанокристалічного 21R-SiC політипу з розміром нанокристалів ~ 10 нм. Розроблено градієнтний спосіб формування гетероструктур на основі шарів нанокристалічного SiC в єдиному циклі прямого осадження іонів. Для формування інтерфейсу на межі розподілу нанокристал/межова область та компенсації носіїв заряду в межових областях було застосовано відпал в атмосфері О2. На сформованому інтерфейсі nc-SiC/SiO2 отримано додаткове випромінювання ФЛ в УФ (3,6 еВ) і в ІЧ (1,5-1,6 еВ) областях. На основі nc-SiC плівок були розроблені та виготовлені: стійкі до електромагнітних перешкод широкодіапазонні (0-1000°С) оптоволоконні мікродатчики, високостабільний температурний безінерційний терморезистівний мікродатчик (діаметр сенсора 200 мкм), радіаційностійкий візуалізатор електронного пучка з енергією 10-20 МеВ, високоомні захисні покриття для НВЧ потужних pin-діодів, фотоперетворювачів, у тому числі сонячних елементів та оптичних елементів.

Файли

Схожі дисертації

0524U000117

Імбірович Наталія Юріївна

Механізми та закономірності плазмо-електролітного синтезу біопокриттів на основі титанових сплавів

0523U100235

Чабак Юлія Геннадіївна

Розвиток наукових основ підвищення експлуатаційних властивостей легованих чавунів вдосконаленням хімічного складу та обробкою поверхні висококонцентрованими джерелами енергії

0423U100094

Романенко Ярослав Михайлович

Формування за високого тиску PCBN композитів інструментального призначення з однорідною структурою та підвищеною демпферною здатністю

0523U100002

Тростянчин Андрій Миколайович

Концепція застосування водневої обробки для удосконалення структурно-фазового стану та властивостей функціональних матеріалів на основі сплавів рідкісноземельних та перехідних металів

0421U103868

Волошина Людмила Володимирівна

Підвищення зносостійкості масляних шестеренних насосів тракторних дизельних двигунів