Яремій І. П. Дефекти структури приповерхневих шарів іонно-імплантованих епітаксійних плівок та монокристалів гранату

В дисертаційній роботі проведено дослідження дефектів структури іонно-імплантованих приповерхневих шарів монокристалів ґадоліній-ґалієвого ґранату та епітаксійних ферит-ґранатових плівок. Модифікація вказаних матеріалів здійснювалася іонами Не+, В+, N+, F+. Показано, що в іонно-імплантованих приповерхневих шарах досліджуваних матеріалів формування дислокаційних петель за рахунок об'єднання точкових радіаційних дефектів відбувається тільки в площинах, паралельних до поверхні зразка. Для коректного аналізу вказаної системи дефектів в рамках статистичної динамічної теорії розсіяння Х-променів виведено функціональні залежності та обчислено значення структурно чутливих до дефектів Х-променевих параметрів, в яких враховано ефекти анізотропії в орієнтації дислокаційних петель. Отримано інформацію про структуру та характеристики дефектів в неімплантованих та імплантованих монокристалах та плівках, встановлено зв'язок між характеристиками дефектів та параметрами магнітної мікроструктури досліджуваних матеріалів. Показано, що стан вирощених на підкладках ґадоліній-ґалієвого ґранату плівок є повністю напруженим. У приповерхневих шарах при іонній імплантації утворюються, в основному, точкові дефекти та дислокаційні петлі з середніми розмірами 30 - 70 ?. Із збільшенням дози опромінення зростає концентрація і зменшується радіус дислокаційних петель, а приповерхневий іонно-імплантований шар у площині, паралельній до поверхні кристалу, є повністю напруженим, незважаючи на великі значення (до 3 %) відносної деформації у перпендикулярному до площини поверхні кристалу напрямі.