Тарасенко О. А. Генерація зарядових станів та розмін їх енергії в органічних твердотільних сцинтиляторах.

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0516U000625

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.07 - Фізика твердого тіла
  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

15-06-2016

Спеціалізована вчена рада

Д 64.169.01

Інститут монокристалів НАН України

Анотація

Роботу присвячено питанням розміну енергії зарядових станів, які виникають в ділянках високої густини радіаційного збудження, та впливу цього процесу на формування імпульсу радіолюмінесценції в органічних твердотільних сцинтиляторах. Досліджуються органічні монокристали, полістирольний сцинтилятор, органічні гетерогенні матеріали (полікристали, композиційні сцинтилятори). Запропонований підхід уперше розглядає явище поляризації як фактор, що визначає особливості розміну енергії зарядових станів у трекових ділянках іонізуючої частинки. Показано, що ступінь впливу поляризаційних взаємодій залежить від густини пар зарядових станів. Отримано модельний опис формування сцинтиляційного відгуку в наближенні швидкої початкової рекомбінації гарячих зарядових станів. На відміну від формул Біркса, цей опис містить параметри, які визначаються з експерименту. Встановлено механізми енергетичних втрат, які виникають безпосередньо після збудження іонізуючою частинкою органічних молекулярних середовищ. Уточнено послідовність процесів розміну енергії в ділянках високої густини радіаційного збудження органічних молекулярних середовищ враховує особливості впливу поляризаційних взаємодій на процес формування імпульсу радіолюмінесценції. Ключові слова: поляризація, зарядовий стан, рекомбінація, іонізуюче випромінювання, трек частинки, органічний сцинтилятор, радіолюмінесценція.

Файли

Схожі дисертації

0424U000081

Чурілов Ігор Георгійович

Особливості термічного впливу на морфологічні зміни і механізм утворення рідкої фази у конденсованих однокомпонентних плівках (Pb, Sn, In, Bi) та у бінарних шаруватих плівках (Bi/Sn, Pb/Sn, Pb/In)

0424U000065

Мазур Дмитро Вікторович

Особливостi рентґенiвських спектрiв поглинання та магнiтного циркулярного дихроїзму оксиґенвмiсних сполук на основi металiв 4-го перiоду

0523U100214

Олійник Сергій Володимирович

Фізичні основи формування електричних та фотоелектричних властивостей кристалів AIIBVI і електричних властивостей багатокомпонентних покриттів

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.