Різак І. М. Теплофізичні властивості та явища перенесення при термо- і фотоструктурних перетвореннях халькогенідних іонних сегнетоелектриків типу гексасе-леногіподифосфату олова та іонних провідників тетраборату літію

Дисертація присвячена комплексному вивченню статичних, динамічних і кінетичних властивостей при термофотоструктурних перетвореннях іонних сегнетоелектриків родини гексаселеногіподифосфату олова та іонного провідника тетраборату літію. Вперше у фізиці конденсованих систем на T-p-y-х-діаграмі іонних сегнетоелектриків (PbySn1-y)2P2(SexS1-x)6 встановлено ділянку існування трикритичної точки Ліфшиця. Виявлено особливості та встановлено загальні закономірності транспорту заряду, імпульсу і теплоти в халькогенідних сегнетоелектричних напівпровідникових системах зі структурними фазовими переходами та тетраборату літію. Розроблено алгоритм і створено математичне забезпечення для розрахунку густини фононних станів твердих тіл із температурної поведінки теплоємності. На основі ab initio розрахунків статичних і динамічних властивостей іонних провідників тетраборату літію та іонних сегнетоелектриків ти-пу гексатіогіподифосфату олова розроблено мікроскопічну модель ґраткової нестій-кості і механізму фототермоструктурних перетворень досліджуваних сполук