Бігун Р. І. Електронні явища перенесення заряду в нанорозмірних металевих двокомпонентних плівкових системах.

У дисертаційній роботі вперше отримано цілісні та узагальнюючі результати по встановленню закономірностей формування структури, електричних та оптичних властивостей плівок простих (Au, Ag, Cu) і перехідних металів (Ni, Pd, Cr), сформованих на поверхні поверхневоактивних речовин (Ge, Si, Sb) у надвисокому вакуумі (тиск залишкових газів не вищий за 10-7 Па) в після перколяційний області товщин (d > dc), з наперед заданими властивостями. Завдяки створеній методиці сумісного використання методів “замороженої конденсації” (“quench deposition”, Тпідклакди < 0,1 Tтоп, де Tтоп – температура топлення металу) та поверхневоактивних підшарів (Ge, Si, Sb), розвинуто інструмент керованого росту полікристалічних плівок металів із заданою структурою (величина середніх лінійних розмірів кристалітів D, ізотропність властивостей, відомі параметри макроскопічних поверхневих неоднорідностей), електричними (розмірні залежності питомого опору ρ(d), температурного коефіцієнту опору β(d), термо.-е.р.с. S(d), перколяційний поріг dc та інші) та оптичними властивостями. Розвинуто модель балістичного перенесення заряду в тонких плівках металів (d > dс), яка дозволила здійснити прогноз впливу поверхневих неоднорідностей на електронну структуру та режим перенесення заряду із зміною товщини плівки металу. Вивчення ефекту Зеебека у плівках простих (Au і Сu) та перехідних (Ni, Pd, Cr) металів показало, що електронна будова плівок металевих конденсатів є ідентичною електронній структурі масивних металів, принаймні для товщин d < 7-9 нм, в той час як поверхневоактивні підшари германію, завдяки прискоренню металізації досліджуваних зразків, дозволяють закінчити формування електронної структури, яка є ідентичною електронній структурі масивного металу при товщинах близьких до 5 нм. Розраховано оптичну провідність σопт плівок простих металів (Au, Ag та Cu) різної товщини та здійснено оцінку вільного пробігу носіїв струму і коефіцієнтів міжзеренного розсіювання r та тунелювання t в рамках моделей внутрішнього розмірного ефекту (Маядаса-Шацкеса та Тельє-Тоссе-Пішара) в ІЧ області спектру випромінювання. Показано, що на противагу від аналогічних коефіцієнтів, розрахованих при протіканні постійного струму, згадані величини проявляють залежність як від розмірів кристалітів так і від частоти світла.