Савченко Д. В. Електронні та магнітні властивості парамагнітних центрів у вуглецевомістких матеріалах

У дисертаційній роботі встановлено властивості парамагнітних центрів у вуглецевомістких матеріалах методами стаціонарної та імпульсної радіоспектроскопії. У 6H, 4H, 15R політипах карбіду кремнію (SiC) n-типу визначено лігандну структуру для донорів азоту (N). Запропоновано, що донори N, що займають «К2» позицію в гратці 6H SiC з глибоким рівнем залягання в забороненій зоні, заміщують атоми Si, у той час як у 15R SiC збагачення зразків вуглецем (C) сприяє появі глибоких донорних станів N у трьох кубічних позиціях на атомах Si. Визначено механізми та часи спінової релаксації для донорів N у монокристалах 6H SiC. Встановлено, що присутність стрибкової провідності, донорних кластерів та електронів провідності (ЕП) впливає на час фазової пам’яті донорів N. Виявлено та досліджено магнітні та електричні властивості ЕП у сильно- та слаболегованих монокристалах 6H, 4H, 3С SiC. Досліджено магнітні властивості С-пов’язаних центрів у плівках a-Si1−xCx:H, a-SiCxNy, DLC:Cr, SiO2:C. У нанокомпозитах SiO2:C спостережено квантово-розмірний ефект для ЕП, локалізованих у С наноточках. Виявлено розмірно-залежний ефект для донорів N у наночастинках SiC. Виявлено триплетний центр від N-вакансійної пари в самовпорядкованих наноструктурах 6H SiC та визначені його параметри