Гнатенко Ю. П. Энергетическая структура и динамика элементарных возбуждений в полупроводниках групп АIIBYI и AIIIBYI с содержанием ЗL-элементов

Объект исследования: Полупроводниковые кристаллы, 3L-элементы, глубокие добавочные центры, эффект яна-Теллера, экситоны, магнитные поляроны. Цель исследования: Исследования энергетической структуры, динамики экситонов, характера электронно-колебательного взаимодейтсвия в широкозонных полупроводниках, которые вмещают ЗL-элементы. Методы исследования и аппаратура: Экспериментальные исследования, оптические спектральные устройства. Теоретические результаты и новизна: Определено положение глубоких уровней зL-элементов в AIIBYI, исследовано динамический эффект Яна-Теллера, установлено механизмы рассеивания и локализации экситонов в полумагнитных полупроводниках, изучено влияние ЗL=элементов на оптические особенности расположения уровней ЗL-элементов в кристаллах AIIBYI. Сфера (область) использования: Спектроскопия, фото- и оптоэлектроника полупроводниковых кристаллов; теория глубоких добавочных ян-теллеровских центров.