Мак В. Т. Роль радиационно-стимулированных процессов в модификации свойств полупроводников и полупроводниковых приборов с дефектами структуры

Объект исследования: Сульфид и тиогалат кадмия, кремниевые диоды и транзисторы. Цель исследования: Обнаружение особенностей радиационного дефектообразования в зависимости от структуры и типа химической связи твердого тела. Методы исследования и аппаратура: Электрические, оптические, фотоэлектрические, регтгеновские методы исследований; монохроматоры, электрометры. Теоретические результаты и новизна: Расширение представлений от ионизационно-стимулированных процессах, предложена модель таких процессов. Практические результаты и новизна: Разработаны методы стабилизации параметров материалов и модификации свойств бракованных приборов. Предмет и степень внедрения: Гамма и бета дозиметры, кремниевые диоды и транзисторы. Эффективность внедрения: Дозиметры с высокой радиационной стойкостью, увеличение выхода годных диодов и транзисторов. Сфера (область) использования: Твердотельная электроника и промышленность.