Бурлаков В. О. Електрофізичні властивості тонкоплівкових структур феромагнетик-діелектрик-феромагнетик за міграції електропровідних домішок.

Вперше отримано НДО на ВАХ в тонкоплівкових системах Fe/MgO/(Fe+C), Fe/MgO/Ni та Fe/MgO/Co. Це досягалося завдяки забезпеченню неоднорідності товщини діелектрика при виготовлені зразків та вибором металів з різною густи-ною електронних станів в якості верхнього та нижнього шару досліджуваної ге-тероструктури. Встановлено, що струм, який протікає через отриманий контакт системи Fe/MgO/(Fe+C), стимулює процеси електроміграції вуглецю в залізі, що впливає на провідність і формування ВАХ системи. Розраховано величину ефек-тивного коефіцієнту дифузії вуглецю в залізі під дією електричного струму, що внесок електроміграції на три порядки перевищує дифузію вуглецю в залізі за квазірівноважних умов. Встановлена закономірність, що вища диференційна провідність на початковій ділянці ВАХ, тим нижча напруга за якої виникає об-ласть НДО. Тривале знаходження зразка системи Fe/MgO/Fe в атмосфері за кім-натної температури призводить до виникнення у нього випрямляючих властивос-тей. З експериментів на напівпровідникових підкладках p- та n-типу провідності визначено зміну роботи виходу електронів для контактів заліза за відповідних умов легування вуглецем.