Михайлик М. С. Рекомбінаційні процеси за участю остовних і валентних дірок в широкозонних галоїдних кристалах.

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0400U000286

Облікова картка дисертації

0400U000286.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

08-12-1999

Спеціалізована вчена рада

Д35.051.09

Анотація

Об'єкти дослідження: змішані лужно-галоїдні кристали та чисті і активовані церієм галоїдні перовськити. Мета:вивчення процесів релаксації остовних та валентних збуджень. Методи дослідження: люмінесцентна спектроскопія остовно-валентних переходів та міжконфігураційних переходів в іоні церію. Теоретичні і практичні результати і новизна: виявлено і досліджено взаємодію остовних збуджень з коливаннями гратки. Розроблено моделі процесів випромінювального розпаду високоенергетичних збуджень у кристалах з остовно-валентною люмінесценцією та Се-вмісних перовськитах. Ступінь впровадження: результати використовуються в процесі пошуку та розробки ВУФ-люмінофорів і сцинтиляторів. Сфера впровадження: люмінесцентне сцинтиляційне матеріалознавство.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах