Коротєєв В. В. Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах

English version

Дисертація на здобуття ступеня доктора наук

Державний реєстраційний номер

0521U101814

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

15-09-2021

Спеціалізована вчена рада

Д 26.199.02

Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України

Анотація

В дисертаційній роботі побудовані теорії сильно-польового та високочастотного електронного транспорту в об’ємних зразках, квантових гетероструктурах та просторово - обмежених діодних структурах на основі AIIIBV напівпровідникових матеріалів. В рамках побудованих теорій досліджені ефекти сильно-польової та магнето-транспортної кінетики носіїв, ефекти анізотропії високочастотного відгуку електронного газу, що наведені сильним електричним та магнітним полем, а також розглянуті транспортні режими виникнення струмових та плазмонних нестійкостей в сильних електричних полях. Зокрема, проведений комплексний аналіз ефекту стримінгу та прольотного резонансу на оптичних фононах в компенсованому GaN. Виявлені ефекти виникнення від’ємної динамічної провідності, що можуть застосовуватись для генерації ТГц випромінювання в діапазоні частот 0.5-2 ТГц. Запропоновані нові методики для експериментальної ідентифікації цих транспортних режимів в експериментах прецизійної ТГц спектроскопії, та додатково, в магнето-транспортних та електро - градієнтних вимірюваннях. Окреслені параметри балістичних n+-i-n+ діодів на основі InAs та GaAs матеріалів в яких можуть виникати струмові нестійкості прольотного типу. Запропонована модель ТГц генератора, що використовує в якості активного елемента каскадну структуру ідентичних балістичних діодів. Досліджені ефекти детектування, підсилення та генерації терагерцового випромінювання гібридними плазмонними структурами з металічними гратками в умовах сильного дрейфу носіїв. Знайдені фізичні параметри таких структур, робочі температури їх функціонування, інтервали прикладених полів, та можливий інтервал частот для спостереження ефектів підсилення/генерації ТГц випромінювання. Проведені дослідження є важливими для створення активних елементів надвисокочастотної оптоелектроніки нового покоління, що використовують для контролю робочих параметрів сильні електричні поля.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101689

Хоменкова Лариса Юріївна

Структурні перетворення та нерівноважні електронні процеси в нанокомпозитах на основі широкозонних оксидів