Жученко З. Я. Магнітооптичні та багаточастинкові явища в гетероструктурах на основі квантових ям InGaAs з близькими до критичних ширинами

Об'єкт дослідження: псевдоморфні модульовано леговані гетероструктури AlGaAs/InGaAs/GaAs із квантовими ямами InGaAs. Мета роботи: всебічне дослідження квантового каналу InGaAs, ширина якого є меншою від критичного значення. Методи дослідження: фотолюмінесценція, магнітолюмінесценція, комбінаційне розсіювання світла, оптичне детектування квантових осциляцій інтенсивності фотолюмінесценції в магнітному полі. Показано, що механізм випромінювальної рекомбінації змінюється від екситоноподібного до зона-зонного при зменшенні ширини квантової ями нижче критичного значення. Встановлено, що існує інтервал ширин квантової ями (12 - 20 нм), в якому якість квантового каналу для даних гетероструктур є прогнозованою. Знайдено нові особливості прояву багаточастинкових явищ у квантових ямах з високою густиною двовимірного електронного газу. Одержані результати можуть бути використані для вдосконалення технології вирощування довершених гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs та методів їх неруйнівного контролю.