Альошин О. М. Фотоелектричнi властивостi плiвок Свинець сульфiду з рiзним потенцiальним рельїфом зон

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0400U001066

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

31-03-2000

Спеціалізована вчена рада

К 41.051.04

Анотація

Дисертацiя присвячена вивченню механiзмiв струмопереносу i фоточутливостi плiвок PbS iз рiзним потенцiйним рельїфом зон та впливу технологiчних факторiв на цi механiзми, а також розробцi технологiє нанесення фоточутливих плiвок PbS на кремнiїву пiдкладку зi схемами комутацiє сигналiв та вивченню єх структури. Показано, що для багатошаровоє структури на основi шарiв PbS iз рiзним типом провiдностi, а також плiвок PbS з яскраво вираженим потенцiйним рельїфом зон крiм понадбар'їрноє рекомбiнаціє носiєв струму iснуї також тунельна рекомбiнація, яка вiдповiдаї за польове гасiння фотоструму в таких структурах. З врахуванням фiзичних властивостей плiвок PbS проведено аналiз теплових режимiв роботи неохолоджуваних фотоприймальних пристроєв IЧ-випромiнювання на єх основi та запропоновано рекомендацiє щодо вибору режимiв роботи, що забезпечують оптимальну фоточутливiсть плiвок. Запропоновано оптико-кореляцiйний експрес-метод неруйнуючого контролю розмiрiв кристалiтiв у плiвках, який може бути вжитий в умовах про мислового виготовлення.

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах