Гонтарук О. М. Деградаційні і релаксаційні процеси у світлодіодах GaP, зумовлені ультразвуком та радіацією

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0400U001452

Облікова картка дисертації

0400U001452.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

26-04-2000

Спеціалізована вчена рада

К 32.051.01

Анотація

Дисертацію присвячено дослідженню p-n- структур на основі фосфіду галію. У роботі досліджено деградаційні та релаксаційні процеси у GaP, що відбуваються при УЗ обробці та g- опроміненні. У кристалі, обробленому ультразвуком при температурі 77 К, виявлено низькочастотні коливання яскравості свічення, котрі відбуваються в такт із коливаннями струму. Поява таких осциляцій може бути зумовлена формуванням рухливих дислокаційних пакетів, які беруть участь у формуванні дефектів темних ліній та дефектів темних плям. Аналіз сукупності деградаційно-релаксаційних змін опромінених зразків GaP показує, що основною причиною їхнього виникнення є стимульований високим рівнем іонізації рух дислокацій та утворення дислокаційних сіток. Показано, що ультразвук може бути засобом для покращення характеристик GaP світлодіодів з високою концентрацією дефектів, зокрема опромінених швидкими частинками.

Читати повністю

Файли

Literat.doc

Rozdil1.doc

Rozdil2.doc

Rozdil3.doc

Rozdil4.doc

Rozdil5.doc

TITL.DOC

Visnovki.doc

Vstup.doc

Zmist.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах