Михайлик Т. А. Еліпсометрія надграток і розупорядкованих поверхонь монокристалів GaAs і Si

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0400U001850

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.07 - Фізика твердого тіла

16-06-2000

Спеціалізована вчена рада

К 26.199.01

Анотація

Монокристалічний GaAs і Si з різними ступенями розупорядкованості поверхні та надгратки GaAs/GaPxAs1-x. Дослідити їх оптичні та геометричні властивості. Методи: багатокутова та спектральна еліпсометрія, мікроскопія атомних сил, профілометрія, інфрачервона спектроскопія відбивання, рентгенівська дифракція, ковзне відбивання рентгенівських променів. Запропоновано компексний всехвилевий підхід до вивчення розупорядкованості поверхні напівпровід-ників. Обгрунтовано застосування теорії збурень. Пояснено розбіжність параметрів рельєфу, отриманих різними методами.Проаналізовано чотири суттєво відмінних моде- лі надграток, обрано найперспективнішу. Отримано енергетичні зонні параметри системи за моделлю діелектричної функції, проаналізовано їх залежність від товщин шарів та вмісту фосфору.

Схожі дисертації