Воронова В. В. Радіаційно-стимульовані процеси в кристалах LiBaF3

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0400U002474

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

20-09-2000

Спеціалізована вчена рада

Д 64.169.01

Інститут монокристалів НАН України

Анотація

Чисті та леговані кристали LiBaF3. Комплексне дослідження особливостей випромінювальних та безвипромінювальних характеристик чистих та легованих кристалів LiBaF3. Методами дослідження з люмінесцентна спектроскопія з часовим розподіленням, оптична спектроскопія, термолюмінесцентні методи; станція "SUPERLUMI", люмінесцентна установка СДЛ-2, спектрофотометри "Specord M-40", "Specord M-82", термолюмінесцентна установка. Зроблено оцінку параметрів зоннои структури, виявлено легуючі домішки, що ефективно впливають на спектрально-кинетичні характеристики кристалів LiBaF3. З'ясовано процеси, що контролюють втрати енергіи при ии переносі від гратки до центрів світіння. Досліджено процеси утворення центрів забарвлення і запасання енергіи в опромінених чистих та легованих кристалах. Одержані результати свідчать про перспективність створення на основі кристалів LiBaF3 сцинтиляційних, дозиметричних середовищ. Сферою використання з радіаційна фізика, спектроскопія твердого тіла, матеріалознавство.

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах