БАРАСЮК Я. М. Фізичні властивості гетеропереходів в системі сульфід-телурид кадмію. - Рукопис.

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0400U002592

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

27-09-2000

Спеціалізована вчена рада

Д 76.05101

Анотація

Дисертація присвячена вивченню електричних, фотоелектричних та рентгеноелектричних процесів в анізотипних гетеропереходах сульфід-телурид кадмію, виготовлених методом реакцій твердофазного заміщення. Встановлені технологічні режими які дозволяють отримувати гетеропереходи з незначною концентрацією дефектів на межі поділу. Виготовлено лабораторні зразки сонячних елементів, детекторів лазерного випромінювання, оптопар, детекторів рентгенівського випромінювання.

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах