Дробнич О. В. Механізми фазових переходів у власних сегнетоелектриках типу Sn2P2S6 в дипольній моделі.

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0400U002778

Облікова картка дисертації

0400U002778.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

12-10-2000

Спеціалізована вчена рада

К61.051.01

Анотація

Об'єкт досліджень (ОД): Сегнетоелектрики типу Sn2P2S6 - сполуки Sn(Pb)2P2S(Se)6 і їх тверді розчини. Мета досліджень- отримати висновки про механізми фазових переходів. Метод досліджень- чисельні експерименти в моделях ОД. Нові теоретичні і практичні результати: Розроблена дипольна ізингівська модель ОД. Отримані фазові діаграми і тем- пературні залежності термодинамічних функ- цій. Упровадження: Планується. Сфера використання: Дослідження кооперативних явищ в кристалах.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах