Ханова Г. В. Розробка фізико-технологічних основ отримання плівок сульфіду самарию для тензорезисторів і дослідження їх параметрів

Хімічним методом розпаду хелатних сіркумістячих метало-органічних сполук із синтезованих та досліджених dtc-комплексів самарію отримано полікристалічні текстуровані плівки ряду сульфіду самарію. Визначено умови для отримання плівок моносульфіду самарію кубічної модифікації, а також умови, які забеспечують відтворюване отримання вакуумною технологією плівок SmS з високою тензочутливістю. Досліджено рекомбінаційні параметри і механізми струмпроходження в тонкоплівкових структурах моносульфіду самарію, а також вплив матеріалу контактів на властивості цих структур. Визначено метрологічні характеристики напівпровідникових плівок на основі SmS і сформульовано основні особливості топології напівпровідникових плівок із SmS, показано деякі їх переваги перед металевими фольговими тензорезисторами.