Яричкін В. В. Особливостi формування iмпульсу затриманої радiолюмiнесценцiї в органiчних дiелектриках

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0401U000053

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

22-11-2000

Спеціалізована вчена рада

Д64.169.01

Анотація

Органiчнi сцинтилятори. Побудова уточненої фiзичної моделi процесiв, якi зумовлюють формування iмпульсу затриманої радiолюмiнесценцїє. Однофотонний метод дослiдження кiнетичних параметрiв iмпульсу затриманої радiолюмiнесценцiї, метод дослiдження роздiлювальної здатностi сцинтиляторiв за формою iмпульсу, амплiтудний метод дослiдження величини свiтлового сигналу. Обгрунтованi межi придатностi дифузiйного наближення при описi процесу затриманоє радiолюмiнесценцiї. Наведено результати аналiзу впливу мономолекулярних пасток триплетного збудження на формування iмпульсу затриманої радiолюмiнесценцiї. Новi теоретичнi та експериментальнi методи. Фiзика напiвпровiдникiв та дiелектрикiв, фiзика елементарних частинок та високих енергiй

Файли

image001.tif

image002.tif

image003.tif

image004.tif

image005.tif

image006.tif

image007.tif

image008.tif

image009.tif

image010.tif

image011.tif

image012.tif

image013.tif

image014.tif

image015.tif

image016.tif

image017.tif

image018.tif

image019.tif

image020.tif

image021.tif

image022.tif

image023.tif

image024.tif

image025.tif

image026.tif

image027.tif

image028.tif

image029.tif

image030.tif

image031.tif

image032.tif

image033.tif

image034.tif

image035.tif

image036.tif

image037.tif

image038.tif

image039.tif

image040.tif

image041.tif

image042.tif

image043.tif

image044.tif

image045.tif

image046.tif

image047.tif

image048.tif

image049.tif

image050.tif

image051.tif

image052.tif

image053.tif

image054.tif

image055.tif

image056.tif

image057.tif

image058.tif

image059.tif

image060.tif

image061.tif

image062.tif

image063.tif

image064.tif

image065.tif

image066.tif

image067.tif

image068.tif

image069.tif

image070.tif

image071.tif

image072.tif

image073.tif

image074.tif

image075.tif

image076.tif

image077.tif

image078.tif

image079.tif

image080.tif

image081.tif

image082.tif

image083.tif

image084.tif

image085.tif

image086.tif

image087.tif

image088.tif

image089.tif

image090.tif

image091.tif

image092.tif

image093.tif

image094.tif

image095.tif

image096.tif

image097.tif

image098.tif

image099.tif

image100.tif

image101.tif

image102.tif

image103.tif

image104.tif

image105.tif

image106.tif

image107.tif

image108.tif

image109.tif

image110.tif

image111.tif

image112.tif

image113.tif

image114.tif

image115.tif

image116.tif

image117.tif

image118.tif

image119.tif

image120.tif

image121.tif

image122.tif

image123.tif

image124.tif

image125.tif

image126.tif

image127.tif

image128.tif

image129.tif

image130.tif

image131.tif

image132.tif

image133.tif

image134.tif

image135.tif

image136.tif

image137.tif

image138.tif

image139.tif

image140.tif

image141.tif

image142.tif

image143.tif

image144.tif

image145.tif

image146.tif

image147.tif

image148.tif

image149.tif

image150.tif

image151.tif

image152.tif

image153.tif

image154.tif

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах