Гой Р. Б. Електронні та фононні властивості фоточутливих напівпровідникових сполук типу AIBIIICVI2

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0401U000411

Облікова картка дисертації

0401U000411.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

18-01-2001

Спеціалізована вчена рада

K 61.051.01

Анотація

В дисертації досліджено коливні властивості та електронно-енергетичні стани CuInSe2. Використовуючи теоретико-груповий аналіз та методику повних груп, вивчені правила відбору в багатофононних процесах ІЧ-поглинання та КР світла, поляризаційні ефекти та ефект Яна-Тейлора. В рамках моделі МО-ЛКАО в кластерному наближенні проаналізовано якісні зміни в електронному спектрі, спричинені заміною In домішками заміщення Ga та Al. Отримано систему рівнянь, яка описує перенормування потенціалу одинарного атома в багатокомпонентному кластері.

Читати повністю

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах