Коваленко Ю. А. Вплив розмірних ефектів на електрофізичні властивості арсенідгалієвих структур з глибокими центрами

Дисертацію присвячено дослідженню впливу розмірних ефектів, обумовлених наявністю глибоких центрів захоплення, на електрофізичні властивості тонкоплівкових арсенідгалієвих структур. Розроблено числові методи розрахунку низькочастотної бар'єрної ємності структури тонка плівка -- буферний шар -- підкладка та бар'єрної ємності гетероструктури AlGaAs/GaAs з селективним легуванням. Запропоновано фізичний механізм появи аномальної ділянки росту на низькочастотній вольт-фарадній залежності таких структур. Розроблено модель захоплення носіїв з плівки на глибокі центри буферного шару та підкладки арсенідгалієвої структури. Розроблено числовий метод розрахунку домішкової фотопровідності структури плівка--підкладка в умовах зворотного керування. Запропоновано новий механізм домішкової фотопровідності в умовах зворотного керування. Розроблено методику та прилад для вольт-фарадної діагностики глибоких центрів в тонкоплівкових структурах.