Гайдар Г. П. Особливості анізотропії розсіяння електронів у кристалах Si і Ge n-типу, що виникають під впливом направленої пружної деформації, термовідпалів і ядерної радіації

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0401U001289

Облікова картка дисертації

0401U001289.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.07 - Фізика твердого тіла

27-04-2001

Спеціалізована вчена рада

К 26.199.01

Анотація

Об'єкт: кінетика електронних процесів і залежність останніх від анізотропії розсіяння електронного газу на коливаннях кристалічної гратки n-Si і n-Ge, а також на домішкових центрах різної природи в їх об'ємі. Мета: комплексне дослідження особливостей анізотропії розсіяння і ролі радіаційних дефектів у формуванні електрофізичних властивостей Si і Ge n-типу при різному рівні легування і з врахуванням наявності в них залишкових домішок в умовах впливу зовнішніх полів. Методи: звичайний і парний ефект Холла, вимірювання питомого опору, магнітоопору, термо-е.р.с. Основні результати: отримано значення констант деформаційного потенціалу зсуву в нейтронно-опромінених кристалах n-Si, параметрів анізотропії рухливості і анізотропії термо-е.р.с. в умовах прояву ефекту захоплення електронів фононами, дослідження впливу ступеня компенсації на вказані ефекти.

Читати повністю

Схожі дисертації

0524U000174

Носенко Валентина Володимирівна

Структура та властивості парамагнітних центрів у широкощілинних матеріалах на основі апатитів, оксидів та А2В6

0424U000081

Чурілов Ігор Георгійович

Особливості термічного впливу на морфологічні зміни і механізм утворення рідкої фази у конденсованих однокомпонентних плівках (Pb, Sn, In, Bi) та у бінарних шаруватих плівках (Bi/Sn, Pb/Sn, Pb/In)

0424U000065

Мазур Дмитро Вікторович

Особливостi рентґенiвських спектрiв поглинання та магнiтного циркулярного дихроїзму оксиґенвмiсних сполук на основi металiв 4-го перiоду

0523U100214

Олійник Сергій Володимирович

Фізичні основи формування електричних та фотоелектричних властивостей кристалів AIIBVI і електричних властивостей багатокомпонентних покриттів

0522U100045

Богданов Євген Іванович

Ефекти азимутальної асиметрії розсіяння випромінення у кристалах та новітні можливості дифузнодинамічної дифрактометрії