Шкіль В. М. Забезпечення точності і технологічної надійності автоматизованого контролю розмірів обробляємих деталей на токарних верстатах з ЧПУ.

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0401U001835

Облікова картка дисертації

0401U001835.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 05.02.08 - Технологія машинобудування

21-05-2001

Спеціалізована вчена рада

Д 26.002.11

Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського" Інститут енергозбереження та енергоменеджменту

Анотація

Дисертація присвячена питанням проектування автоматизованих простроїв для контролю розмірів деталей в зоні різання металорізального верстата з ЧПУ. Розроблені математичні залежності для визначення похибки вимірювання, які залежать від впливу відхилень розмірів, форми і розташування шариків і співвісних з ними циліндричних отворів опорного кільця і фланця стакана головки дотику. Встановлено, що похибка вимірювальної головки не більше 0,001 10-3м.Застосування вимірювальної головки дотику надає можливість збільшити точність і надійність контролю розмірів деталей, збільшити продуктивність обладнання і зменшити матеріальні витрати на оснащення і вимірювальний інструмент.

Читати повністю

Схожі дисертації

0423U100054

Вишнепольський Євген Валерійович

Підвищення якості деталей газотурбінних двигунів, отриманих селективним лазерним спіканням, шляхом алмазного вигладжування

0422U100019

Костюк Сава Андрійович

Технологічне забезпечення підвищення працездатності пальців сферичних шарнірів статико-імпульсною обробкою

0521U102097

Шепеленко Ігор Віталійович

Наукові основи технології нанесення антифрикційних покриттів з використанням пластичного деформування

0521U101935

Кусий Ярослав Маркіянович

Науково-прикладні основи технологічного успадкування параметрів якості для забезпечення експлуатаційних характеристик виробів

0521U101885

Гурей Володимир Ігорович

Науково-технологічні основи підвищення якості та експлуатаційних характеристик деталей машин формуванням зміцнених нанокристалічних шарів