Литовченко О. П. Вплив попереднього опромінення на преципітацію кисню і радіаційну стійкість кремнію для детекторів ядерних випромінювань.

Об'єкт дослідження: кінетика преципітації кисню в опроміненому Si, вплив попереднього опромінення на радіаційну стійкість Si, характеристики детекторів ядерних випромінювань. Мета: дослідження впливу попереднього опромінення на преципітацію O2 в Si та розробка методів підвищення радіаційної стійкості Si для детекторів ядерних випромінювань. Методи досліджень: вимірювання оптичного поглинання у Si, ефект Холла, вибіркове травлення, електронна мікроскопія , виміри спектрометричних характеристик детекторів. Основні результати: в опроміненому нейтронами Si спостерігається прискорення преципітації O2 і при дозах > 10 16н/см 2 процес преципітації визначається радіаційними дефектами. Oпромінення Si нейтронами з наступним відпалом приводить до створення стоків для первинних радіаційних дефектів, що підвищує радіаційну стійкість Si. Розроблені радіаційно стійкі детектори та p-і-n діоди для дозиметрії швидких нейтронів з чутливістю більшою, ніж у відомих аналогів.