Литвин О. С. Морфологічні та структурні зміни в напівпровідниках А3В5 і А2В6 та системах на їх основі, стимульовані післяростовими обробками

Об'єкти дослідження: напівпровідникові сполуки GaAs i ZnS та системи плівка-підкладинка на їх основі. Мета роботи: виявлення зв'язку морфології поверхні полікристалічних плівок, що є компонентами напівпровідникових приладних систем, з внутрішньою кристалічною структурою та процесами на межі поділу фаз, спричиненими післяростовими обробками. Основні методи досліджень: атомно-силова мікроскопія, рентгеноструктурний аналіз. Основні результати: вивчено зв'язок морфологічних та структурних характеристик полікристалічних плівок ZnS:Cu з умовами їх виготовлення та післяростових обробок. Досліджено залежність структурної досконалості контактних систем на GaAs з антидифузійним шаром ТіВ2 від режиму магнетронного напилення та їх термічну стійкість. Розвинуто і удосконалено методи досліджень. Результати використано при розробці технологій виготовлення твердотільних напівпровідникових структур для мікроелектронних та оптичних пристроїв з метою оптимізації їх параметрів та підвищення ефективності роботи.