Рибалко А. В. Лазерна спектроскопія напівпровідникових кристалів ZnSiP2 і ZnGeP2
English versionДисертація на здобуття ступеня кандидата наук
Державний реєстраційний номер
0402U000726
Здобувач
Спеціальність
- 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків
15-02-2002
Спеціалізована вчена рада
К 32.051.01
Анотація
Файли
Autoref.doc
Literatura-Л-РА1.doc
Rodil-1-Rozdil-1.doc
Rodil-1-Zmist.doc
Rodil-1-Перелик.doc
Rozdil-2-Роздил2.doc
Rozdil-2-СхемаНОВ.doc
Rozdil-3-3-12.doc
Rozdil-3-3-19.doc
Rozdil-3-Рис-3-18.doc
Rozdil-3-Роздил3.doc
Rozdil-5-5-6.doc
Rozdil-5-5-7.doc
Rozdil-5-Роздил5.doc
Висновки-Осн.висновки.doc
Схеми-4-10.doc
Схеми-4-14.doc
Схеми-4-15.doc
Схеми-4-18.doc
Схеми-4-19.doc
Схеми-4.4.doc
Схожі дисертації
0523U100013
Луньов Сергій Валентинович
Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі
0522U100117
Птащенко Федір Олександрович
Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.
0421U104048
Микитюк Тарас Іванович
Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe
0521U102010
Борковська Людмила Володимирівна
Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5
0521U101814
Коротєєв Вадим Вячеславович
Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах