Саріков А. В. Дослідження механізмів формування та фізичних властивостей напівпровідникових структур з розвиненою поверхнею

Дисертацію присвячено дослідженню механізмів формування напівпровідникових структур з розвиненою поверхнею, а також їх екситонних та гетерних характеристик. Розроблено нову модель формування пор у кремнії в процесі електрохімічного травлення, яка дозволяє відтворити ряд експериментально спостережених ефектів. Досліджено характер часової еволюції функції розподілу за радіусами нитковидних кристалів кремнію в залежності від лімітуючої стадії їх бічного росту. Показано, що визначальним фактором, що обумовлює експериментально спостережену еволюцію, є термодинамічні процеси вбудовування атомів кремнію в кристал. У рамках методу дослідження екситонних характеристик напівпровідників, що базується на аналізі спектрів люмінесценції, виміряних при одному значенні температури, показано збільшення приблизно в три рази енергії зв'язку екситона в приповерхневій області GaAs, вкритого шаром діелектрика. Показано застосовність даного підходу до дослідження екситонних характеристик нанорозмірних структур кремнію. Запропоновано простий метод визначення зонних та геометричних параметрів останніх. Запропоновано механізми, які обумовлюють ефективне гетерування в структурах мультикристалічний кремній - пористий кремній - шар алюмінію, а також спад цієї ефективності при відпалах при температурах >750-800OC.