Телега В. М. ВПЛИВ ЕЛЕКТРОННОЇ ПІДСИСТЕМИ НА ФОРМУВАННЯ СКЛАДУ ПОВЕРХНІ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК З РІЗНИМ СТУПЕНЕМ ІОННОСТІ.

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0402U001810

Облікова картка дисертації

0402U001810.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

27-05-2002

Спеціалізована вчена рада

Д 26. 001. 31

Анотація

Вплив електронної підсистеми на формування складу поверхні напівпровідникових сполук з різним ступенем іонності. Методи - оже-спектроскопія, мас-спектрометрія. Проведені експериментальні дослідження процесів формування складу поверхні кристалів, випаровування компонент кристалів, емісійних влстивостей кристалів (BaO, CaO, SrO, GaAs). Показано, що впливаючи на електронну підсистему кристалів електричним полем, електричним струмом можна керувати процесом формування складу поверхні кристалів. На основі експериментальних досліджень встановлено, що керуючи процесами випаровування компонент кристалів в умовах надвисокого вакууму можна отримувати плівки різного складу. Формування складу поверхні кристалів, як показують експериментальні дослідження, залежить від їх ступеня іонності.

Читати повністю

Файли

Glava2.doc

Glava3.doc

Glava4(new1).doc

LiteraturaK.doc

TitulkaK.doc

referat7_2.doc

zmistFFFS.doc

Вступ 1.1-1.6.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах