Надь Ю. Ю. Спектроскопiя метастабiльнихдефектiв в склоподiбних напiвпровiдниках SbxSe1-x.

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0402U002409

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

06-06-2002

Спеціалізована вчена рада

K61.051.01

Анотація

Об'єкт дослідження- аморфні напівпровідникові шари та стекла системи Sb-Se, в яких відбуваються процеси захоплення - вивільнення носіїв заряду. Мета роботи- спектроскопія локальних станів електрофізично активних дефектiв в некристалiчних напiвпровiдникових матерiалах SbxSe1-x термодеполяризацiйними, часопрольотними та електрофотографiчними методами. Встановлено, що при введенні в аморфний селен сурми появляються рівні захоплення з глибиною залягання 0.34 і 0.45 еВ. Виявлено відсутність транспорту фотоінжектованих дірок -зареєстровано лише перенесення заряду електронами. Спектральна залежність фоточутливості аморфних SbxSe1-x в порівнянні з чистим селеном однозначно вказує на підвищену чутливість у довгохвильовій області спектру. На підставі одержаних результатів зроблено оцінку перспективності використання шарів SbxSe1-x в якості фото- та ретгеночутливих носіїв зображення.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах