Северин В. С. Механізм світлочутливості системи халькогенідний склоподібний напівпровідник - метал

Запропоновано механізм, який пояснює комплекс властивостей світлочутливої системи халькогенідний склоподібний напівпровідник (ХСН) - метал. Показано, що її властивості обумовлює потенціальний бар'єр на границі ХСН - метал, який має гальванічну та електронну складові. Освітлення системи зменшує електронну складову. Це значно збільшує дифузійний потік іонів металу з металу до ХСН. Зміна електронної складової визначається фотоелектричними процесами у ХСН. Вона дає джерело дифузії іонів до ХСН, залежне від світла. Розв'язок рівняння дифузії з цим джерелом приводить до виразів, які пояснюють комплекс властивостей світлочутливої системи. Показано, що індукційний період кінетики проникнення металу до ХСН обумовлений залежністю коефіцієнта дифузії металу в ХСН від його концентрації. Показано, що залежність світлочутливості системи від товщини шару металу, від сторони освітлення та вигляд останнього періоду кінетики обумовлені скінченністю товщини шарів системи. Проведено застосування створеного механізму до вивчення процесу запису голографічної дифракційної ґратки.