Хвищун М. В. Особливості п'єзоопору в неопромінених і гамма-опромінених монокристалах германію та кремнію

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0402U003160

Облікова картка дисертації

0402U003160.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

23-10-2002

Спеціалізована вчена рада

К 32.051.01

Анотація

Визначено для y- опромінених монокристалів германію та кремнію величину зміни енергетичної щілини між рівнями (Ec-0,2)eB і (Ec-0,17)eB та дном с-зони при температурах найбільш повної іонізації рівнів у широкому діапазоні прикладених механічних напружень. Встановлено, що у кристалах германію в області власної провідності для пояснення ходу залежностей Ro=f(X) крім деформаційного переселення носіїв заряду між еквівалентними L-та дельта -долинами та зміни загальної концентрації власних носіїв заряду з тиском необхідно при певних умовах враховувати для напрямів [111] та [100] переходи носіїв заряду між L- та дельта-долинами с-зони. Показано, що при наявності ІВД германію (NGe=5*1018см?3 ) в кристалах кремнію з домішкою фосфору (NP=2*1016см?3 ) не спостерігається із ОПД іонізації електрично активних домішкових станів. Запропоновано метод визначення модулів пружності n-Ge та n-Si, який ґрунтується на вимірюванні поздовжнього п'єзоопору Rox[111]=f(X) (для n-Ge) та Rox[100]=f(X) (для n-Si ).

Читати повністю

Файли

Vstup.doc

aref.doc

p.1.3.doc

p1.1-1.2.doc

p1.4-1.6.doc

rozd2.doc

rozd3.doc

rozd4.doc

tutylka.doc

vusnovku.doc

подяка.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах