Євтєєв В. М. Електрони в ієрархічних напівпровідникових гетероструктурах

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0402U003871

Облікова картка дисертації

0402U003871.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

29-11-2002

Спеціалізована вчена рада

Д 41.051.01

Одеський національний університет імені І.І.Мечникова

Анотація

Об'єкт - напівпровідникові гетероструктури; мета - створення моделі електронної підсистеми обмеженої шаруватої гетероструктури; методи - аналітичне і чисельне моделювання; новизна - вперше розроблено чисельний метод з використанням теореми о вузлах хвильової функції; результати - з'ясован зв'язок ієрархій напівпровідникової гетероструктури та енер-гетичного спектру електронів, розширені можливості моделі Кроніга-Пенні для обмеженого кристала; впровадження - звіт з науково-дослідних робіт на замовлення держфонду фундаментальних досліджень; галузь - напівпровідникова електроніка.

Читати повністю

Файли

DIS1.doc

aref.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах