Галян В. В. Вплив модифікаторів (HgSe, Cu2Se) на фізичні властивості склоподібного диселеніду германію

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0403U001760

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

22-05-2003

Спеціалізована вчена рада

К.32.051.01

Анотація

Дисертація присвячена дослідженню структури, деяких оптичних та електрофізичних властивостей склоподібних сплавів GeSe2, модифікованих HgSe та Cu2Se. На основі кривих розсіювання рентгенівських променів розраховувався структурний фактор та функція радіального розподілу атомної густини склоподібних сплавів системи HgSe - GeSe2. Для цих сплавів вперше обчислено середні міжатомні відстані та координаційні числа. Дослідження показали, що в сплавах, які знаходяться близько до межі області склоутворення, з вмістом модифікатора HgSe(52,54), існують кристалічні мікронеоднорідності. Встановлено, що спектральна залежність оптичного поглинання зразків, в області фундаментального поглинання, описується правилом Урбаха. Виявлено явище термоіндукованого оптичного затемнення в сплавах системи HgSe-GeSe2. На основі залежності електропровідності від температури встановлено механізми провідностей.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах