Галян В. В. Вплив модифікаторів (HgSe, Cu2Se) на фізичні властивості склоподібного диселеніду германію
English versionДисертація на здобуття ступеня кандидата наук
Державний реєстраційний номер
0403U001760
Здобувач
Спеціальність
- 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків
22-05-2003
Спеціалізована вчена рада
К.32.051.01
Анотація
Файли
Avtoreferat--aref.doc
Dysertacya--01.doc
Dysertacya--02.doc
Dysertacya--03.doc
Dysertacya--04.doc
Dysertacya--05.doc
Dysertacya--06.doc
Dysertacya--07.doc
Dysertacya--08.doc
Dysertacya--09.doc
Dysertacya--10.doc
Dysertacya--Readme.txt
Схожі дисертації
0523U100013
Луньов Сергій Валентинович
Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі
0522U100117
Птащенко Федір Олександрович
Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.
0421U104048
Микитюк Тарас Іванович
Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe
0521U102010
Борковська Людмила Володимирівна
Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5
0521U101814
Коротєєв Вадим Вячеславович
Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах