Коров'янко О. О. Квазіхімічні реакції між дефектами в CdTe, легованому металами ІІІА-підгрупи.

Закономірності дефектоутворення в CdTe<In(Ga,Tl)>. Дослідити квазіхімічні процеси дефектоутворення в CdTe<In(Ga,Tl)>. Методи дослідження - дослідження високо- та низькотемпературних електричних вимірювань ефекту Хола, спектрів фотолюмінесценції. На підставі експериментальних результатів отримано новий набір (СН-5) оптимізованих констант дефектоутворення в CdTe. Pозраховано константи рівноваги квазіхімічних реакцій утворення твердих розчинів заміщення атомів In та Ga у вузлах кадмію CdTe. Складена на основі набору СН-5 комп'ютерна програма моделювання дефектної структури CdTe дозволяє прогнозувати властивості матеріалу в умовах високотемпературної рівноваги точкових дефектів, після умовного гартування, а також після відігріву матеріалу до кімнатних температур. Сфера використання - матеріалознавство.