Рябченко Ю. С. Вплив метастабільних та резонансних домішкових станів на явища переносу в твердих розчинах А3В5 та А2В6

В дисертаційній роботі представлені результати дослідження ролі глибоких сильно гратково-релаксованих центрів в твердих розчинах AlxGa1-xAs та резонансних рівнів домішкових центрів, які обумовлюють електронну кореляцію у безщілинних напівпровідниках Hg1-xFеxSe, Hg1-xCoxSe. Як головні в роботі використовувалися методи гальваномагнітних вимірів при низьких температурах у поєднанні з різними впливами на зразки, що вивчалися. Виявлено прояв у залишковій фотопровідності вище розташованих водневоподібних станів, пов'язаних зі вторинними мінімумами зони провідності. Встановлено, що залишкова фотопровідність може гаситися при прикладанні до кристалу ультразвуку, що підтверджує LLR (великої граткової релаксації) модель DX-центрів і дає змогу бачити прояв DX0- проміжного стану. Під час досліджень твердих розчинів Hg1-xFexSe отримані залежності від складу положень екстремумів зон G6 і G8 (у припущенні незалежності від складу кристалу енергії залягання рівнів 3d-електронів Fe відносно енергії вакууму); кількісно описані залежності концентрації вільних носіїв та їх рухливості від складу. Таким чином, визначено, що абсолютне положення дна Г8-зони сильно залежить від складу сполуки, на відміну від уявлень, що використовувалися до обговорюваних досліджень. Отримані дані про сильну залежність ЕГ8(х) дозволяють заперечити застосовність правила "загального аніону" до досліджуваних кристалів. Показано, що 3d-рівні Со не проявляють себе в кореляційних ефектах, оскільки лежать суттєво нижче рівня Фермі. Оцінка положення 3d-рівня Со дає, що він розташований не вище, ніж на 20 меВ над дном зони провідності. Результати дають змогу зробити припущення, що така ж ситуація має місце для домішкових іонів Ni.