Кинаш Ю. Є. Електронні енергетичні спектри напівпровідників типу AIV, AIIIBV і твердих розчинів Si1-XGeX у методі змішаного базису

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0404U002047

Облікова картка дисертації

0404U002047.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

30-04-2004

Спеціалізована вчена рада

Д.76.051.01

Анотація

Модифікованим методом змішаного базису розраховано електронні енергетичні спектри напівпровідників типу AIV , AIIIBV та неперервних твердих розчинів Si-Ge . Для прискорення розрахунків потенціал кристала наближений гаусіанами. Матричні елементи гамільтоніана кристала розраховуються у прямому просторі. Отримані результати розрахунку електронних енергетичних спектрів можуть бути використані для дослідження електронних і оптичних властивостей напівпровідників.

Читати повністю

Файли

aref.doc

kynash.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах