Кедик І. В. Фотоіндуковані гратки просторового заряду в сегнетонапівпровідникових кристалах Sn2P2S6

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0404U002328

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

27-05-2004

Спеціалізована вчена рада

К 61.051.01

Анотація

Дисертаційна робота присвячена дослідженню основних властивостей граток просторового заряду кристалів Sn2P2S6 , отриманих різними методами, та можливості використання цих кристалів у пристроях динамічної голографії. Використовуючи голографічну методику визначено ряд фоторефрактивних (ФР) та електрофізичних параметрів кристалів Sn2P2S6. Досліджено динаміку формування, просторовий розподіл, орієнтаційні та поляризаційні властивості фотоіндукованого розсіювання світла (ФІРС) в зразках модифікованого умовами росту Sn2P2S6 . Використовуючи динамічні особливості формування розсіювання та модифікований умовами росту кристал Sn2P2S6 , реалізовано однопроменевий оптичний фільтр новин, який характеризується високою контрастністю та швидкодією. На основі номінально чистого кристалу Sn2P2S6 досліджено схему самонакачуваного фазоспряжуючого (ФС) дзеркала. За умов оптимального вибору орієнтації зразка, експериментально отримано значення ефективності перетворення RФС ~ 0.2 при характерному часі формування ФС променя~ 0.02 с. Показано можливість суттєвого покращення цих параметрів шляхом зменшення втрат на відбивання (до RФС ~ 0.35).

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах