Корначевський Я. І. Моделі МОН-транзисторів для схемотехнічного проектування субмікронних інтегральних схем

Дисертація присвячена створенню ефективних шляхів для вбудовування моделей в програмні комплекси схемотехнічних САПР на прикладі моделі субмікронного рівня BSIM3. Приділено увагу структурі моделі МОН-транзистора, ефектам, які впливають на точність розрахунку параметрів моделі транзистора субмікронних розмірів, послідовності вбудовування моделі в САПР схемотехнічного проектування, перевірці на правильність отриманої моделі за допомогою порівняльного моделювання. В роботі встановлено методику врахування ємностей в прямому та інверсному режимах, уточнено співвідношення для ємностей в прямому та інверсному режимах, встановлено, що на швидкість збіжності обчислень не впливає друга похідна заряду в вузлах транзистора по вузловій напрузі. Порівняльне моделювання показало, що створена за результатами дисертаційної роботи надійна модифікація моделі BSIM3 не лише правильно моделює субмікронний МОН-транзистор, але й перевищує за ефективністю модель, яка використовується в пакеті схемотехнічного проектування SPICE.