Сидорець Р. Г. Вплив структури базової області і контактів на характеристики інжекційних фотодіодів

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0404U003033

Облікова картка дисертації

0404U003033.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 05.12.20 - Оптоелектронні системи

29-06-2004

Спеціалізована вчена рада

Д 41.816.01

Одеська національна академія зв'язку ім. О.С. Попова

Анотація

Дисертація присв(ячена актуальним питанням удосконалення характеристик оптоелектронних елементів прийому та реєстрації випромінювання на базі нових науково-технічних рішень і розробці нових типів інжекційних фотодіодів.Отримані аналітичні вирази для розрахунку характеристик на основі неоднорідно-легованих та варизонних напівпровідників

Читати повністю

Файли

Sidorez.doc

aref.doc

Схожі дисертації

0417U000718

Корнага Василь Ігорович

Методи та засоби побудови інтелектуальних систем освітлення на основі синтезу білого світла із заданими спектральними характеристиками

0415U000774

Багачук Денис Геннадійович

Компенсація поляризаційної модової дисперсії на основі одномодового оптичного волокна з анізотропними властивостями

0513U000583

Манько Олександр Олексійович,

Створення ефективних пристроїв оптичного зв'язку та методів їх дослідження

0413U002599

Труш Олександр Вікторович

Покращення показників якості системи управління записом-відтворенням інформації з магнітооптичних носіїв

0413U001701

Возняк Леся Юріївна

Світловипромінювальні структури на основі трихінолінату алюмінію (Alq3), модифіковані нанорозмірними плівками похідного піразоліну та йодиду міді.