Янчук О. І. Електричні та фотоелектричні властивості діодних структур на основі моноселенідів індію та галію

Дисертація присвячена створенню діодних структур на базі моноселенідів індію та галію, дослідженню їх основних електричних і фотоелектричних властивостей, а також вивченню можливостей практичного використання. Особливістю даної роботи є використання матеріалів з широким спектром електрофізичних параметрів та створенню на їх основі випрямляючих структур різного типу: поверхнево-бар'єрних діодів, p n гомо- та гетеропереходів. Зазначені фактори у поєднанні з варіацією умов досліду (напруга, температура, рівень освітлення та його спектральний склад тощо) дозволили вилучити з великої множини механізмів формування темнових і світлових характеристик необхідний і детально його вивчити. Дослідження показали, що у діодних структурах реалізуються досить багато механізмів струмопроходження: теплова та польова емісія, генераційно рекомбінаційні процеси в області просторового заряду та ударна іонізація. Встановлено, що висота потенціального бар'єра контактів метал напівпровідник визначається різницею робіт виходу контактуючих матеріалів при екрануючій дії поверхневих рівнів. Їх концентрація змінюється у межах (8-15)·1012 см-2 і корелює з різницею електронегативностей елементів базових сполук InSe та GaSe. Вперше побудована енергетична зонна діаграма гетеропереходу pGaSe-nInSe, яка адекватно пояснює всі спостережувані електричні та фотоелектричні властивості цих діодних структур. Фотоелектричні параметри і характеристики визначаються типом діодної структури та її параметрами. Встановлено, що ударна іонізація проводиться переважно носіями одного знаку. Обговорюються можливості практичного використання об'єктів дослідження у якості фотодетекторів, пристроїв типу "сцинтилятор-фотодіод" та інших приладах.