Власов А. П. Одержання і властивості легованих епітаксійних шарів CdXHg1-XTe

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0404U004248

Облікова картка дисертації

0404U004248.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

20-10-2004

Спеціалізована вчена рада

Д 35.051.09

Львівський національний університет імені Івана Франка

Анотація

Робота присвячена дослідженню механізмів дифузії і активації акцепторної домішки As або Sb у варізонних структурах CdXHg1-XTe при парофазній епітаксії та термічному відпалі. Визначено коефіцієнти дифузії As у вузькощілинному CdXHg1-XTe при температурах відпалу вище 500°С та встановлено їх концентраційну залежність. Показано можливість дифузії As у CdXHg1-XTe шляхом утворення тризарядових акцепторних комплексів (AsHgVHg)///. Проаналізовано координатні залежності концентрації As у варізонних структурах CdXHg1-XTe і показано, що форма дифузійних профілів домішки зумовлена існуванням у цих структурах внутрішнього електричного поля. Наведено приклади створення фотовольтаїчних приймачів ІЧ випромінювання на основі легованих варізонних структур CdXHg1-XTe. Результати використовуються при пошуку і розробці елементної бази приладів ІЧ фотоелектроніки.

Читати повністю

Файли

Vlasov_AVTOREFERAT.pdf

Vlasov_DYSERT.pdf

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах