Волобуєв В. В. Термоелектричні та магнітні властивості напівпровідникових надргаток EuS-PbS.

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0404U004445

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

20-10-2004

Спеціалізована вчена рада

Д 64.169.01

Інститут монокристалів НАН України

Анотація

Об'єкт дослідження - низьковимірні напівпровідникові структури та розмірні ефекти в них. Мета дослідження - встановлення закономірностей впливу розмірних ефектів на магнітні та термоелектричні властивості надграток EuS-PbS. Методи дослідження: рентгенівська дифрактометрія, електронна мікроскопія, фотолюмінесценція, вимірювання електричної провідністі та термо-е.р.с., нейтронна дифрактометрія, SQUID, магнітоптичний ефект Керра. Теоретичні та практичні результати, новизна: Вперше для напівпровідникових магнітних багатошарових структур встановлена наявність міжшарової обмінної взаємодії феромагнітних шарів через немагнітні прошарки, яка приводить до антиферомагнітного (АФМ) впорядкування магнітних шарів (намагніченості сусідніх шарів направлені в протилежному напрямі). Вперше для надграток EuS-PbS експериментально продемонстровано істотне збільшення термоелектричної потужності при зменшенні товщини прошарків PbS до 1нм у порівнянні з масивними кристалами та одношаровими плівками PbS. Вперше для надгратокEuS-PbS визначені коефіцієнти взаємодифузії матеріалів шарів, розраховані значення енергії активації та передекспоненційного множника і встановлено, що ширина перемішаної зони, що формується в процесі виготовлення надграток, не перевищує товщини моноатомного шару. Вперше для виродженого електронного газу у надгратці з потенціалом Кроніга-Пенні з урахуванням залежності ефективної маси електронів в ямах від енергії при розсіянні електронів на домішках розраховані термоелектричні характеристики надграток (коефіцієнт Зeeбека, електропровідність, фактор потужності і електронна теплопровідність). Результати розрахунків добре узгоджуються з експериментальними даними для надграток EuS-PbS. Сфера використання: фізика напівпровідників, фізика низьковимірних структур, спінтроніка.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах