Шеховцов О. М. Радіаційно-індуковані дефекти в кристалах боратів LaB3O6 і Li6Gd(BO3)3, активованих церієм

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0405U000264

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.07 - Фізика твердого тіла

23-12-2004

Спеціалізована вчена рада

К 64.169.02

Анотація

Об'єкт дослідження - були суміші вихідних реагентів Li2CO3-Gd2O3-B2O3 (H3BO3) та вирощені автором монокристали LaB3O6 (LaBO) і Li6Gd(BO3)3 (LGBO), чисті та активовані церієм. Мета дослідження - встановлення природи радіаційно-індукованих дефектів у монокристалах шаруватого борату LaBO та острівного борату LGBO, вивчення впливу активації монокристалів рідкісноземельним елементом (церієм) на створення дефектів під впливом іонізуючого випромінювання, на оптичні та сцинтиляційні характеристики цих кристалів. Методи дослідження: атомно-емісійний та рентгенівський дифракційного аналізи, оптична спектроскопія, фото- та рентгенлюмінесценція, термостимульована люмінесценція та наведене оптичне поглинання, визначення сцинтиляційних параметрів. Теоретичні і практичні результати, новизна: Описані радіаційно-індуковані дефекти, які обумовлюють ТСЛ монокристалів LaBO (діркові центри) і LGBO (електронні центри), чистих і активованих церієм у температурному інтервалі 300?550 К. Встановлено типи кінетики люмінесценціїта енергетичне положення локальних рівнів захоплення, які характеризують ТСЛ монокристалів LaBO і LGBO:Се. Змодельовано структуру активаторних центрів, утворених церієм у кристалічній гратці вирощених монокристалів з урахуванням вихідного валентного стану іону активатора і його перезарядження внаслідок опромінення. У кристалах LaBO:Се деградація рентгенолюмінесценції, ТСЛ і НОП обумовлена екрануванням з боку активатора (у перезарядженому стані Се3+>Се4+ - акцептора електронів) радіаційно-індукованого дефекту - діркового центру, пов'язаного з утворенням VLa. ТСЛ кристалів LGBO:Се пов'язана з розпадом F+-центру у кисневому оточенні іону активатора, що обумовлює випромінювальну релаксацію церію при зворотній перезарядці Се4+>Се3+. Сфера використання: ядерна фізика, фізика високих енергій, сцинтиляційна техніка.

Файли

Схожі дисертації

0424U000081

Чурілов Ігор Георгійович

Особливості термічного впливу на морфологічні зміни і механізм утворення рідкої фази у конденсованих однокомпонентних плівках (Pb, Sn, In, Bi) та у бінарних шаруватих плівках (Bi/Sn, Pb/Sn, Pb/In)

0424U000065

Мазур Дмитро Вікторович

Особливостi рентґенiвських спектрiв поглинання та магнiтного циркулярного дихроїзму оксиґенвмiсних сполук на основi металiв 4-го перiоду

0523U100214

Олійник Сергій Володимирович

Фізичні основи формування електричних та фотоелектричних властивостей кристалів AIIBVI і електричних властивостей багатокомпонентних покриттів

0522U100045

Богданов Євген Іванович

Ефекти азимутальної асиметрії розсіяння випромінення у кристалах та новітні можливості дифузнодинамічної дифрактометрії

0522U100002

Владимирський Ігор Анатолійович

Термодифузійні структурно-фазові зміни в гетерогенних системах на основі магнітних і немагнітних наношарів