Білічук С. В. Технологія одержання та фізичні властивості тонких плівок халькопіритних напівпровідників і прозорих оксидів металів для фотоперетворювачів

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0405U004518

Облікова картка дисертації

0405U004518.pdf

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

27-10-2005

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Анотація

Дослідженню вплив технологічних режимів на структурні, оптичні та електричні властивості тонких плівок твердих розчинів CuInхGa1-хSe2 (CIGS) і прозорих провідних оксидів металів SnO2, ITO, CdO і ZnO, одержаних термічним випаровуванням та магнетронним розпиленням. Розвинута низькотемпературна технологія одержування гетероструктур Mo/CIGS/CdS/ITO. Досліджено вплив типу фронтального покриття та товщини шару CdS на ефективність фотоперетворювача.

Читати повністю

Файли

Diser.doc

aref.doc

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах