Білічук С. В. Технологія одержання та фізичні властивості тонких плівок халькопіритних напівпровідників і прозорих оксидів металів для фотоперетворювачів

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0405U004518

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

27-10-2005

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Анотація

Дослідженню вплив технологічних режимів на структурні, оптичні та електричні властивості тонких плівок твердих розчинів CuInхGa1-хSe2 (CIGS) і прозорих провідних оксидів металів SnO2, ITO, CdO і ZnO, одержаних термічним випаровуванням та магнетронним розпиленням. Розвинута низькотемпературна технологія одержування гетероструктур Mo/CIGS/CdS/ITO. Досліджено вплив типу фронтального покриття та товщини шару CdS на ефективність фотоперетворювача.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах