Мельник О. Я. Електронні релаксації радіаційних дефектів при-поверхневого шару кристалів цезій галоїдів та екзоемісія електронів.

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0406U000229

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.18 - Фізика і хімія поверхні

23-12-2005

Спеціалізована вчена рада

Д 20.051.06

Коломийський інститут ДВНЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"

Анотація

Предмет: взаємозв'язок явища екзоелектронної емісії з електронними релаксаціями радіаційних дефектів. Мета: побудова і обґрунтування рекомбінаційної моделі явища екзоелектронної емісії для широкозонних діелектричних кристалів цезій галоїдів. Методи: квантово-механічний. Результати: вперше зроблено оцінки та проведене цілісне дослідження всіх етапів протікання явища екзоемісії для широкозонних діелектричних кристалів цезій галоїдів у межах побудованої релаксаційно-рекомбінаційної моделі; одержано енергетичні спектри екзоелектронів у аналітичному вигляді. Використання: можуть бути використані в наукових дослідженнях, що займаються дефектоскопією поверхні та приповерхневого шару твердих тіл; при викладанні спецкурсів.

Файли

Схожі дисертації