КРИШЕНИК В. М. Наведена анізотропія та релаксаційні ефекти в аморфних халькогенідах

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0406U000445

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

20-01-2006

Спеціалізована вчена рада

К 61.051.01

Анотація

Дисертаційна робота присвячена дослідженню оптично анізотропних властивостей і релаксаційних перетворень при фізичному старінні та під впливом зовнішніх чинників в термічно осаджених аморфних плівках As-S(Se), розгляду можливостей їх використання в оптоелектронних і інтегрально-оптичних пристроях. Основні результати отримані з допомогою високочутливих хвилеводних методик з резонансним збудженням оптичних мод у плівках. Досліджено виявлену в свіжоосаджених плівках природну та фотостимульовану оптичну анізотропію. Для плівок As-S максимальні значення природного двопроменезаломлення виявлено в околі складу As2S5, тоді як в дослідженнях фотоіндукованого двопроменезаломлення спостерігали монотонне зростання параметру анізотропії зі збільшенням вмісту As. На основі аналізу здобутих результатів запропоновано моделі, які враховують особливості організації структури плівкового середовища та зміни на її локальних рівнях. Досліджено релаксаційні зміни оптичних параметрів плівок As-S(Se). Розраховані апроксимаційні залежності релаксаційних змін параметрів оптичної анізотропії та показника заломлення, які підтверджують активаційний, структурно обумовлений характер перетворень.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах