Дмитрів А. М. Точкові дефекти і фізико-хімічні властивості CdTe, HgTe та твердих розчинів на їх основі

Об'єкт -процеси дефектоутворення і механізми утворення твердих розчинів на основі бінарних напівпровідникових сполук. Мета - на основі проведення комплексних теоретичних і експериментальних досліджень уточнити існуючі і розробити обґрунтуванні нові кристалохімічні моделі домінуючих точкових дефектів у кристалах бінарних сполук CdTe, HgTe та встановити механізми утворення твердих розчинів на їх основі CdTe-HgTe, CdTe-ZnTe(MnTe), що визначають прогнозовані фізико-хімічні властивості матеріалу, необхідні для створення ефективних пристроїв напівпровідникової техніки. Методи - Бріджмена, двотемпературний відпал, рентгенодифрактометричний, компенсаційний метод Холла, фотолюмінісценція, електронно-парамагнітний резонанс, квазіхімічні та кристалоквазіхімічні реакції, статистичні. Результати - досліджено механізми утворення твердих розчинів CdTe-HgTe, CdTe-ZnTe(MnTe), що забезпечують вирощування матеріалу із наперед заданими концентрацією носіїв струму і типом провідності у залежності від складу.