Будзуляк С. І. Механізми тензорезистивних ефектів в сильно деформованих кристалах кремнію та германію n-типу

English version

Дисертація на здобуття ступеня кандидата наук

Державний реєстраційний номер

0406U001318

Здобувач

Спеціальність

  • 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків

17-03-2006

Спеціалізована вчена рада

Д 76.051.01

Анотація

Дисертація містить результати комплексних досліджень основних закономірностей та особливостей механізмів тензорезистивних ефектів у сильно деформованих кристалах кремнію й германія n-типу провідності. Представлено методи визначення фізичних механізмів тензоефектів у сильно деформованих кристалах багатодолинних напівпровідників. Встановлено, що поряд із класичними механізмами перерозподілу електронів між долинами існують додаткові механізми, які пов'язані з радикальною перебудовою зони провідності за рахунок деформаційно-індукованого збільшення ефективної маси електрона. Для сильно легованих кристалів кремнію за умови досягнення переходу метал-ізолятор отримана залежність ефективної маси електрона від одновісного тиску, що знаходиться в повній відповідності з теоретичними розрахунками, а також з експериментальними даними. З'ясовані особливості ударної іонізації станів мілких домішок на ізоляторній стороні деформаційно-індукованого переходу метал-ізолятор для сильно легованих кристалів кремнію й германіюn-типу провідності. Виявлено особливості електрофізичних властивостей нейтронно-легованих кристалів кремнію, зумовлених наявністю високотемпературних технологічних термодонорів.

Файли

Схожі дисертації

0523U100013

Луньов Сергій Валентинович

Вплив дефектної структури на електричні та тензоелектричні властивості монокристалів n-Ge та n-Si та плівкових наноструктур на їх основі

0522U100117

Птащенко Федір Олександрович

Вплив віддаленої взаємодії між домішковими атомами та поверхневими дефектами на процес формування, провідність та сенсорну чутливість до молекул NO2 і NH3 поруватого кремнію та інших кремнієвих структур.

0421U104048

Микитюк Тарас Іванович

Електричні, оптичні та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових гетероструктурах CdS/CdMgTe

0521U102010

Борковська Людмила Володимирівна

Електронні та іонні процеси в світловипромінюючих напівпровідникових матеріалах на основі сполук А2В6 і А3В5

0521U101814

Коротєєв Вадим Вячеславович

Ефекти взаємодії терагерцового випромінювання з сильно нерівноважним електронним газом в об'ємних та низькорозмірних напівпровідникових структурах