Іванишин І. М. Кристалохімія точкових дефектів і властивості нестехіометричного SnTe та твердих розчинів на його основі.

На основі проведених експериментальних досліджень фізико-хімічних властивостей бездомішкового нестехіометричного стануму телуриду підтверджено наявність двох електровалентних станів Sn2+ і Sn4+ та вперше розроблена нова модель точкових дефектів у Sn0,984Te із дво- та чотиризарядними вакансіями у катіонній підґратці. Вперше запропоновано кристалоквазіхімічні рівняння для різних механізмів дефектоутворення у легованому Ga, In, Sb, Bi р-SnTe та твердих розчинах систем Sn0,984Te-Ga (In, Tl, Sb, Bi)-Te із врахуванням зарядових станів власних точкових дефектів, можливих зарядових станів домішок, їх локалізації в структурі типу NaCl та хімічної взаємодії. Визначено концентраційні межі реалізації даних механізмів. Показано, що утворення твердих розчинів пов'язане із процесами диспропорціювання зарядових станів як катіонних вакансій, так і домішкових йонів, а також перерозподілом вакансій Стануму та домішкових атомів за катіонними підґратками і процесами комплексоутворення з виділенням фаз типу сфалериту.